近期我司新品發(fā)布HORIBA堀場SEC-N112MGM氣體流量控制器

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發(fā)布日期

2026年4月24日

HORIBA堀場SEC-N112MGM氣體流量控制器產(chǎn)品介紹

在工業(yè)制造與科研實(shí)驗(yàn)的精密氣體控制領(lǐng)域，HORIBA堀場SEC-N112MGM氣體流量控制器憑借性能與廣泛適配性，成為眾多行業(yè)的核心設(shè)備之一。作為HORIBA STEC N100家族中銷量的模擬接口型號，它被業(yè)界譽(yù)為“小Z500"，以高性價比實(shí)現(xiàn)了流量控制的精準(zhǔn)與高效，為預(yù)算敏感型場景提供了“一步到位"的解決方案。

SEC-N112MGM的核心優(yōu)勢在于其“一臺頂多臺"的*適配能力。依托MGMR多氣體/多量程技術(shù)，它能在10 SCCM至50 SLM的流量跨度內(nèi)自由切換，覆蓋從微量到大流量的多種需求。無論是半導(dǎo)體制造中精準(zhǔn)的工藝氣體配送，還是環(huán)保監(jiān)測里的標(biāo)氣稀釋，它都能通過軟件快速切換氣體類型與量程，無需更換硬件。這一特性不僅能減少50%以上的備件庫存，還能在切換后1秒內(nèi)自動完成PID參數(shù)重算，實(shí)現(xiàn)零停機(jī)時間，大幅降低了采購、校準(zhǔn)與倉儲成本，被多家晶圓廠納入“降本增效"實(shí)踐案例。

在半導(dǎo)體行業(yè)，SEC-N112MGM是刻蝕、LPCVD、ALD等關(guān)鍵制程的“隱形助手"。在芯片制造的刻蝕環(huán)節(jié)，它能精準(zhǔn)控制SiH?、PH?、NF?等工藝氣體的流量，確保刻蝕深度與圖案精度符合納米級標(biāo)準(zhǔn)；在薄膜沉積過程中，穩(wěn)定的氣體流量輸出保障了薄膜厚度均勻性，直接影響芯片的性能與良率。其全金屬密封結(jié)構(gòu)與316L EP管路材質(zhì)，能有效避免氣體污染，滿足半導(dǎo)體制造對超高潔凈度的嚴(yán)苛要求。

光伏產(chǎn)業(yè)也是SEC-N112MGM的重要應(yīng)用場景。在PERC、TopCon電池的擴(kuò)散與PECVD工藝中，它負(fù)責(zé)精準(zhǔn)調(diào)控NH?、B?H?、N?O等氣體的流量，助力電池實(shí)現(xiàn)更高的光電轉(zhuǎn)換效率。在LED與OLED制造的MOCVD反應(yīng)腔中，它既能穩(wěn)定輸送載氣，又能精準(zhǔn)控制反應(yīng)氣體配比，保障發(fā)光材料的均勻沉積，提升屏幕顯示效果。此外，在燃料電池研發(fā)中，它可用于氫氣與空氣的計量與泄露測試，為新能源技術(shù)的安全驗(yàn)證提供可靠支持。

在環(huán)保與科研領(lǐng)域，SEC-N112MGM同樣發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在CEMS煙氣排放連續(xù)監(jiān)測系統(tǒng)中，它能精準(zhǔn)稀釋標(biāo)氣，確保監(jiān)測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性；在實(shí)驗(yàn)室手套箱氣氛控制中，它可穩(wěn)定調(diào)節(jié)惰性氣體流量，為敏感實(shí)驗(yàn)提供穩(wěn)定環(huán)境。其快速響應(yīng)特性與高精度控制，讓科研人員能更精準(zhǔn)地開展氣體相關(guān)實(shí)驗(yàn)，加速科研成果轉(zhuǎn)化。

憑借緊湊的體積與靈活的安裝方式，SEC-N112MGM能輕松適配各類工業(yè)設(shè)備與實(shí)驗(yàn)裝置，支持任意角度安裝，極大降低了系統(tǒng)集成難度。無論是在潔凈度要求嚴(yán)苛的半導(dǎo)體廠房，還是在空間有限的科研實(shí)驗(yàn)室，它都能穩(wěn)定運(yùn)行，為各行業(yè)的精密氣體控制提供可靠保障